本研究中，研究團隊利用離子切片技術(shù)，成功地驗證了在硅基底上制備高光學品質(zhì)鐵石榴石磁光薄膜的可行性，并展示了其在片上光隔離器中的潛在應(yīng)用。研究團隊采用釔鐵石榴石(YIG)晶體，摻鉍鐵石榴石(BIG)和新開發(fā)的YIG陶瓷作為基材，分別探究了115 keV能量和2E16劑量He+離子注入下的離子與缺陷分布，并通過起泡實驗證明了YIG陶瓷與單晶材料通過離子切片技術(shù)實現(xiàn)百納米級薄膜制備的可行性。與單晶相比，YIG陶瓷具有生產(chǎn)成本更低、生長周期更短和具備大尺寸制備潛力等優(yōu)勢，更適合基于離子切片實現(xiàn)大面積磁光薄膜制備和異質(zhì)集成。

　　在1.55 μm近紅外通訊波段，YIG陶瓷展現(xiàn)出優(yōu)異的磁光性能。研究顯示，其法拉第旋轉(zhuǎn)角達到175°/cm，非互易相移(NRPS)為282.90 rad/m。基于這一材料特性，研究團隊設(shè)計了一個基于馬赫-曾德干涉儀(MZI)結(jié)構(gòu)的片上光隔離器。研究結(jié)果表明，該隔離器在1.55 μm波長下表現(xiàn)出插入損耗僅為2.78 dB，隔離帶寬達到83 nm。

　　圖1. He離子注入后的BIG、YIG晶體和YIG陶瓷在不同溫度下退火的表面變化的光學顯微鏡圖像。

　　圖2. NRPS 波導(dǎo)截面尺寸和Hx在1.55 μm(a)和2.1 μm(b)處的分布，以及仿真計算得到的隔離器在1.55 μm(c)和2.1 μm(d)波長下的傳輸特性。

　　此外，隨著光通信對更高帶寬需求的增長，中紅外波段(2.1 μm)也逐漸成為研究熱點。在這一波段，YIG陶瓷表現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢。其法拉第旋轉(zhuǎn)角為114°/cm，雖然低于1.55 μm波段，但其光吸收顯著降低，且非互易相移(NRPS)仍然達到199.53 rad/m。基于此，研究團隊設(shè)計的片上光隔離器在2.1μm波段的插入損耗進一步降低至僅0.35 dB，隔離帶寬則增加至84 nm。這些性能的提升得益于YIG陶瓷在中紅外波段極低的吸收系數(shù)(α = 0.053 cm?1)及其磁光系數(shù)在色散關(guān)系中的穩(wěn)定性。

　　這項研究充分驗證了YIG陶瓷在1.55 μm近紅外和2.1 μm片上光隔離器應(yīng)用中的可行性，以及通過離子切片技術(shù)實現(xiàn)大尺寸硅基磁光薄膜制備的重要價值，展現(xiàn)出YIG陶瓷和離子切片技術(shù)在中紅外通信和傳感領(lǐng)域應(yīng)用的巨大潛力。

　　參考來源：上海光學精密機械研究所

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